日本OTSUKA大塚西南代理膜厚测量系统GS-300
带有模式匹配功能、X-Y位置精度在2um以下的系统。

日本OTSUKA大塚西南代理膜厚测量系统GS-300

日本OTSUKA大塚西南代理膜厚测量系统GS-300

日本OTSUKA大塚电子GS-300晶圆在线膜厚测量系统，是面向半导体先进制程推出的量产级非接触式膜厚检测旗舰设备，专为300mm及以下尺寸晶圆的成膜后全幅面膜厚分布在线检测场景设计，依托大塚深耕光学干涉领域的核心技术积累，实现晶圆全表面膜厚的高精度、高速度全域扫描，打通成膜工艺的实时数据闭环。

该系统采用大塚自研的非接触式光谱干涉检测架构，通过采集薄膜上下界面的反射干涉光谱，结合多维度解析算法，无需接触晶圆表面即可完成无损测厚，避免传统接触式检测可能造成的晶圆划伤、膜层破损风险。它的核心测量能力覆盖1nm~35μm的宽量程区间，既可以精准检测晶圆表面的氧化膜、氮化膜、光刻胶等纳米级超薄薄膜，也能适配厚胶层、钝化膜等微米级涂层的检测需求，测量重复精度稳定控制在0.2nm以内，哪怕是晶圆边缘微米级的厚度波动也能被精准捕捉。

GS-300搭载高精度自动XY位移平台，支持300mm全尺寸晶圆的全域自动扫描，可一键生成晶圆全表面的膜厚分布云图，自动统计面内厚度均匀性、极值偏差等核心参数，无需人工后续整理数据。系统适配半导体产线的集成需求，可直接对接EFEM晶圆传输单元，实现晶圆自动上下料、自动对位、自动测量的全流程无人化运行，单晶圆全幅面检测效率远高于传统离线抽检模式，匹配半导体产线的高吞吐量生产要求。

设备的抗干扰设计适配洁净车间的复杂工况，搭载环境振动补偿、杂散光抑制机制，可在24小时不间断运行的量产环境下长期稳定工作，检测数据可直接上传至产线MES系统，为成膜工艺的参数优化提供完整的面域数据支撑，帮助企业快速定位膜厚不均的工艺问题，将晶圆成膜良率提升10%以上。除了常规半导体薄膜检测，它还可适配TSV埋入结构晶圆研磨后的硅层厚度检测，覆盖晶圆制造的多个核心制程环节。