日本OTSUKA大塚西南代理线扫描膜厚仪晶圆用半导体的研究开发以及生产现场中，能够在晶圆基板上的薄膜进行全表面测量的装置。

通过结合独自的分光干涉法和新开发的高精度膜厚演算处理技术，可以高速测量12英寸晶圆的面内分布。

日本OTSUKA大塚西南代理线扫描膜厚仪晶圆用

日本OTSUKA大塚西南代理线扫描膜厚仪晶圆用

日本OTSUKA大塚电子离线型晶圆专用线扫描膜厚计，是专为半导体晶圆研发实验室、制程质检环节打造的高精度全幅面膜厚检测设备，依托大塚深耕光谱干涉量测领域的技术，突破传统单点膜厚仪只能逐点抽检的局限，可一次性完成整片晶圆的全域膜厚分布扫描，为晶圆制程研发、来料抽检、工艺优化提供完整的面域数据支撑。

这款设备采用大塚自研的线阵光谱扫描架构，以非接触式无损检测方式，避免传统接触式测厚可能造成的晶圆表面划伤、钝化膜破损问题，满足半导体行业对晶圆零损伤的检测要求。设备最高可实现每分钟500万点的超高速扫描，针对8寸晶圆仅需数十秒即可完成整片全域的无遗漏扫描，针对12寸晶圆也能在2分钟内输出完整的膜厚分布数据，检测效率是传统手动逐点测量的数十倍，大幅降低实验室研发与质检环节的人力投入。

依托大塚的高精度光谱干涉解析算法，设备可精准覆盖1nm~300μm的宽量程检测范围，既可以精准测量SiO₂栅氧层、SiN氮化膜、光刻胶等纳米级超薄膜，也能满足临时键合晶圆胶层、外延层等微米级厚层的检测需求，重复精度可达0.2nm以内，即使是晶圆边缘的微小厚度偏差也能精准捕捉。设备搭载高精度自动XY位移平台，支持晶圆自动对位、自动扫描路径规划，扫描完成后可直接生成可视化的膜厚分布云图、厚度偏差统计报告，自动计算晶圆全域的厚度均匀性CPK值，无需人工后续整理数据。

设备采用实验室友好型紧凑型设计，无需复杂的产线集成改造，放置在普通洁净实验台即可投入使用，搭载USB+LAN双通信接口，支持检测数据一键导出与溯源存档，符合半导体行业的质检数据追溯规范。广泛适配半导体研发实验室的制程工艺验证、晶圆来料入厂抽检、CMP研磨后膜厚均匀性分析、光刻胶涂布效果评估等核心场景，是晶圆制程优化环节的核心检测利器。