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美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD使用双扩散“穿通”结构制作了1064nm长波长增强型硅APD（C30954 EH、C30955EH和C30956EH）。这些光电二极管的设计增强了它们的长波响应（即900nm），并且没有产生任何不良影响
美国埃赛力达高性能铟镓砷APD C30645系列采用多种大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD），具有200µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率（QE）、稳定响应度和低噪声。
美国埃赛力达二极管APD四象限探测器埃赛力达C30927系列雪崩光电二极管（APD）阵列和象限采用双扩散“穿通”结构，从根本上消除了像素之间的盲区，以获得最佳性能。这种结构在400-1000nm范围内提供超高灵敏度。三种不同的型号
美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APDC30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
美国埃赛力达混合光学APD接收器模块 埃赛力达混合光学APD接收器模块在同一密封包装内同时采用PIN或APD光电检测器和跨阻放大器。将放大器和光电检测器都放在同一封装中，可以从周围环境中拾取低噪声并减少
美国埃赛力达光电二极管大面积UV增强型APD大面积的紫外线增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），旨在用于光谱范围从400 nm以下到700 nm以上的各种宽波段微光应用。这些低噪声、低电容和高增益硅APD可采用扁平封装
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