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美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD
产品简介:

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APDC30724EH硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

产品型号:

更新时间:2026-03-25

厂商性质:代理商

访 问 量 :8

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产品介绍
品牌Excelitas/加拿大价格区间面议
照射方式外照式光源种类其他光源
应用领域综合

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

C30724EH硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度,上升和下降时间约为5 ns,下降时间无“拖尾"特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用,可在固定电压下工作,无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。

主要特性:


采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD

5 ns上升+下降时间-无拖尾

低放大倍数下运行

无需温度补偿


关键应用:


激光测距

激光测距仪

交通测速枪


感光面积:0.2mm2

感光直径:0.5 mm

击穿电压:350V

电容:1 pF

暗电流:20 nA

增益:>12、15、<18

噪声电流:0.1pA/√Hz

封装:TO-18

峰值灵敏度波长:920 nm

光敏直径:0.5 mm

光敏直径:0.5 mm

响应度:在920 nm处为8.5 A/W

上升/下降时间:5 ns

总暗电流(基板+表面):20 nA

工作电压范围:150-200 V

波长:400-1100nm


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