美国埃赛力达高性能铟镓砷APD C30645系列采用多种大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD），具有200µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率（QE）、稳定响应度和低噪声。

美国埃赛力达高性能铟镓砷APD C30645

美国埃赛力达高性能铟镓砷APD C30645

C30662系列采用多种大面积InGaAs雪崩光电二极管（APD），具有200µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率（QE）、稳定响应度和低噪声。这些器件以密封的TO-18封装形式或在陶瓷载体上提供。陶瓷表面安装式封装便于轻松集成到大容量应用中。

埃赛力达C30662系列提供高带宽和低噪声，使OEM和系统制造商能够以信噪比（SNR）实现的噪声规范。新增强的低噪声选项提高了LiDAR和人眼安全测距系统的范围和性能，同时保持相同的激光输出功率。此外，在检测拉曼散射信号时，分布式温度传感 (DTS) 和分布式声学传感 (DAS) 等相干光时域反射计 (OTDR) 和光纤传感应用可在较远距离上提高灵敏度。

规格

文档

系列型号    封装类型    窗口材料    窗口孔径    留言    

C30662ECERH    陶瓷载体    不适用    不适用    

C30662ECERH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH    TO- , 引脚    玻璃1    大2    

C30662EH-1    ΔV > 4 V    

C30662EH-2    TO- , 引脚    3. 接地引脚    

C30662EH-137    TO- , 引脚    小    低噪声，
ΔV > 4 V    

C30662EH-3    

C30662EH-5    硅    小2    

C30662EH-7    玻璃1    大2    低噪音    

C30662EH-27    TO- , 引脚    低噪声，
3. 接地引脚    

C30662L-200    SMD    不适用    

C30662L-200-1    硅    

C30662L-200-7    玻璃1    低噪音    

C30662L-200-17    硅    

注意1：玻璃材料对于可见光和IR波长是透明的，而硅会阻挡波长高达约1.1µm的可见光。

注意2：AR涂层窗口。

参数    符号    最小值    典型值        单位    

上升时间/下降时间    tr/tf    0.4    ns    

带宽    f3dB    600    850    MHz    

电容    标准    C    2.5    pF    

SMD    C    2.7    

暗电流    标准    iD    13    35    nA    

低噪声    iD    7.5    15    

暗噪声    标准    iN    0.45    1    pA/√(Hz)    

低噪声    iN    0.35    0.5    

等效噪声功率    标准    NEP    48    106    fW/√(Hz)    

等效噪声功率    低噪声    NEP    37    53    

工作增益    M    10    20    

击穿的工作点    ΔV    4    V    

参数    符号    最小值    典型值        单位    

击穿电压    VBD    45    50    70    V    

光谱范围    Δλ    1000    1700    nm    

量子效率    QE    75    %    

在1550nm处的响应度    R    9.3    A/W    

VBD的温度系数    ΔV/ΔT    0.14    0.2    V/°C