PRODUCTS CENTER

产品展示

当前位置:首页产品展示光学仪器埃赛力达美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD

美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD
产品简介:

美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD使用双扩散“穿通"结构制作了1064nm长波长增强型硅APD(C30954 EH、C30955EH和C30956EH)。这些光电二极管的设计增强了它们的长波响应(即>900nm),并且没有产生任何不良影响

产品型号:

更新时间:2026-03-25

厂商性质:代理商

访 问 量 :11

服务热线

028-68749778

立即咨询
产品介绍
品牌Excelitas/加拿大价格区间面议
照射方式外照式光源种类其他光源
应用领域综合

美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD

美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD

美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD

C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计,这种Si APD使用双扩散“穿透式"结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径,在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计,使用双扩散“穿透式"结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

功能与优点:


0.8mm感光直径

1060 nm波长处具有高量子效率

快速响应时间

较宽的工作温度范围

低结电容

气密封装

符合RoHS标准

提供TEC选项


应用领域:


测距

LiDAR

YAG激光探测


感光面积:0.5 mm²

感光直径:0.8 mm

击穿电压: >300, 375, <475 V

电容:2pF

暗电流:50nA

增益:120

噪声电流:1 pA/√Hz

封装:TO-5

峰值灵敏度波长:900 nm

响应度:

在900 nm处为75 A/W

在1050 nm处为36 A/W

在1150 nm为5 A/W

在线留言

ONLINE MESSAGE

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
服务热线 028-68749778
Copyright © 2026成都藤田光学仪器有限公司 All Rights Reserved    备案号:蜀ICP备2024073850号-3